Utilizamos cookies propias y de terceros para mejorar nuestros servicios y facilitarle el uso de la web mediante el análisis de sus preferencias de navegación. También compartimos la información sobre el tráfico por nuestra web a los medios sociales y de publicidad con los que colaboramos. Si continúa navegando, consideramos que acepta nuestra Política de cookies .

Actualidad científica

Síguenos
  • Google+
  • RSS
  • Investigación y Ciencia
  • Febrero 2016Nº 473
Panorama

Nanotecnología

Control atómico de un transistor molecular

Una nueva técnica ha permitido fabricar y analizar con una precisión sin precedentes un transistor cuyo canal de transporte eléctrico consiste en una sola molécula.

Menear

En 1974, Arieh Aviram, de IBM, y Mark A. Ratner, de la Universidad de Nueva York, propusieron emplear moléculas individuales a modo de componentes electrónicos, como rectificadores, resistencias o transistores. Desde entonces, la idea ha sido explorada por un gran número de investigadores en la búsqueda de los límites últimos de la miniaturización en electrónica. Sin embargo, toda tecnología basada en componentes moleculares requerirá no solo fabricar tales dispositivos, sino controlarlos y entender su funcionamiento a escala atómica. Hoy por hoy, este objetivo aún se enfrenta a varias dificultades.

El año pasado, en el curso de una investigación llevada a cabo en el Instituto Paul Drude de Berlín, logramos construir, visualizar y analizar las propiedades de transporte eléctrico de una sola molécula cuyo comportamiento como transistor conseguimos controlar con un detalle sin precedentes. Nuestro trabajo, publicado en Nature Physics, fue posible gracias a la microscopía de efecto túnel y a las posibilidades de manipulación atómica que esta técnica ofrece.

Los transistores son los componentes básicos de todos nuestros aparatos electrónicos. En términos sencillos, podemos definirlos como dispositivos cuya capacidad para dejar pasar la corriente puede regularse por medios externos, como si se tratase de pequeños interruptores. En los transistores de efecto campo, los más comunes hoy en día, ello se consigue interponiendo entre dos electrodos (llamados fuente y drenaje), un material (el canal) cuya conductividad puede ajustarse mediante la aplicación de un campo eléctrico a través de un tercer electrodo (la compuerta).

El primer transistor, fabricado en 1947, se componía de pequeños bloques de material semiconductor. Su desarrollo se debió a William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain, de los Laboratorios Bell, quienes solo nueve años después recibirían por ello el premio Nobel de física. Su revolucionario invento permitió eliminar las aparatosas válvulas de vacío de los primeros ordenadores, lo que hizo posible integrar un mayor número de transistores en los circuitos y, de esta manera, aumentar la potencia de cálculo. Así comenzó la andadura de una industria multimillonaria que, en la actualidad, es capaz de integrar miles de millones de transistores en cada uno de nuestros aparatos electrónicos.

Puede conseguir el artículo en:

Artículos relacionados